Rendimiento Veloz NVMe PCIe Gen 3x4 para Flujo de Trabajo Continuo
Diseñado para maximizar la capacidad de respuesta del sistema operativo, el Hiksemi WAVE (P) de 1024GB aprovecha el ancho de banda del bus **PCIe Gen 3.0 x4**. Con tasas de transferencia que multiplican por cuatro el rendimiento de las unidades SATA convencionales, reduce a segundos los tiempos de arranque de Windows, acelera la apertura de programas pesados de diseño y edición, y disminuye drásticamente las pantallas de carga en videojuegos.
Memoria 3D NAND Confiable y Eficiencia Térmica
Construido con tecnología **3D NAND Flash** avanzada, este módulo ofrece mayor densidad de almacenamiento, durabilidad extendida y un consumo energético reducido. Su arquitectura sin partes mecánicas no solo garantiza una operación 100% inaudible, sino que también protege los datos contra golpes, caídas o vibraciones comunes en computadoras portátiles. Además, su diseño térmico optimizado minimiza el estrangulamiento térmico (*thermal throttling*) durante transferencias prolongadas de archivos de gran tamaño.
Compatibilidad Universal M.2 2280 y Fácil Instalación
Gracias a su factor de forma estandarizado **M.2 2280 de perfil simple** (single-sided), el SSD WAVE (P) se instala directamente en la placa madre sin requerir cables de datos ni de corriente SATA. Es la opción de actualización ideal tanto para ultrabooks y laptops delgadas como para placas madre ATX/Micro-ATX gamer o de oficina que cuenten con una ranura M.2 compatible con PCIe NVMe.
| ESPECIFICACIONES TÉCNICAS DISCO SÓLIDO HIKSEMI WAVE (P) 1024GB M.2 PCIE |
| Marca / Fabricante |
Hiksemi (Hikvision Storage Co., Ltd.) |
| Línea / Serie |
WAVE Series / Modelo WAVE (P) |
| Número de Parte (SKU) |
HS-SSD-WAVE(P) 1024G |
| Tipo de Dispositivo |
Unidad de Estado Sólido Interna (Solid State Drive - SSD) |
| Factor de Forma |
M.2 2280 (22 mm de ancho x 80 mm de largo) |
| Capacidad, Interfaz y Velocidad |
| Capacidad de Almacenamiento |
1024 GB (1 TB) |
| Interfaz de Bus |
PCIe Gen 3.0 x4 (4 líneas de comunicación) |
| Protocolo de Comunicación |
NVMe (Non-Volatile Memory Express) |
| Tipo de Memoria Flash |
3D NAND Flash TLC / QLC de alta densidad |
| Velocidad de Lectura Secuencial |
Hasta 2500 MB/s |
| Velocidad de Escritura Secuencial |
Hasta 2100 MB/s |
| Durabilidad, Confiabilidad y Energía |
| Terabytes Escritos (TBW) |
Aproximadamente 400 TBW a 450 TBW |
| Tiempo Medio Entre Fallas (MTBF) |
1,500,000 horas (1.5 Millones de horas) |
| Funciones de Integridad de Datos |
Soporte TRIM, S.M.A.R.T., gestión avanzada de bloques defectuosos y código de corrección de errores (ECC) |
| Consumo Energético |
Lectura/Escritura activa: ~2.5 W a 3.0 W | Reposo (Idle): < 0.5 W |
| Dimensiones, Compatibilidad y Condiciones Ambientales |
| Compatibilidad de Plataforma |
Laptops, PCs de escritorio, ultrabooks y placas base compatibles con ranura M.2 PCIe NVMe (Key M) |
| Sistemas Operativos Soportados |
Windows 11 / 10 / 8.1, Linux, macOS (en equipos con adaptador/puerto compatible) |
| Temperatura de Operación |
0 °C a 70 °C (Operativa) / -40 °C a 85 °C (Almacenamiento) |
| Dimensiones (La x An x Al) |
80.15 mm x 22.15 mm x 2.38 mm |
| Peso Neto |
Aproximadamente 7 gramos |
| Certificaciones |
CE, FCC, RoHS, REACH |